Intel 力推嵌入式 DRAM,力拚三星、SK 海力士

     
Intel 力推嵌入式 DRAM,力拚三星、SK 海力士

英特尔(Intel)半导体龙头地位摇摇欲坠,与三星电子差距日益缩小,英特尔似乎下决心要扳倒后进,据称打算力推嵌入式 DRAM(eDRAM),减少对 DRAM 的依赖,让 DRAM 记忆体大厂三星和 SK 海力士狂冒冷汗。

韩媒 BusinessKorea 1 日报导,当前 DRAM 市场由三星和 SK 海力士称霸,据传英特尔想削弱对手,第六代 Skylake CPU 配备 eDRAM,提高图形运算效能。eDRAM 和 DRAM 不同之处在于,eDRAM 内建在 CPU die 内,DRAM 则和 CPU 各自独立。业界分析师称,英特尔先前的 Haswell 和 Broadwell 晶片已内建 eDRAM,原本是实验性质,如今已成为核心策略。日本和美国的半导体杂誌也说,中长期而言,英特尔或许会整合 CPU 和 DRAM,发展 eDRAM。

报导称,英特尔作法仿效苹果,苹果 A 系列处理器效能极为稳定,数据和图形处理速度都快过 Android 机种。A 系列晶片 DRAM 小于 Android 机,却因採用高效能 SRAM 和 CPU 有突出表现。和 SRAM 相比,eDRAM 的优势在生产成本较低,容量较大。与此同时,英特尔的 3D XPoint 技术也可能重创 DRAM,美国业者独霸个人电脑和伺服器 CPU,可能会藉此推展新技术,如果 3D XPoint 用于伺服器、电脑、行动装置,未来可能成为业界主流,逼走 DRAM。